記者獲悉,福建熔城半導體有限公司項目落戶福州高新區(qū)生物醫(yī)藥和機電產業(yè)園,總投資100億元。

該基地包括世界首個2μ載板級SIP封測及模組商用量產線和各類生產、研發(fā)、創(chuàng)新及相關配套設施,計劃分三期建設。

資料圖

一期投資30億元,占地面積約200畝,建筑面積15萬平方米,預計年內開工,完成高端封測和模組制造基地建設。

二期投資50億元,完成第三代半導體外延片建設。

三期投資20億元,完成芯片制造基地建設。

項目建成后,將為各類IC產品提供具有高性價比的先進封測和模組制造及整體解決方案服務,并將持續(xù)開發(fā)IGBT5G通信MCU汽車電子模組設計、仿真、工藝、測試等先進技術,預計2027年前發(fā)展成為世界先進水平的第三代半導體IDM基地。

據(jù)了解,一期項目投產5年內將實現(xiàn)銷售收入30億元,繳納稅收6億元;二期、三期項目投產后,實現(xiàn)銷售收入100億元,繳納稅收20億元。(記者 徐文宇 通訊員 黃莉銣)